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長江存儲成功研發128層閃存 國產存儲器邁重要一步

發布時間:2020年04月13日 21:31 來源:中國新聞網

  中新網北京4月13日電 (記者 李曉喻)長江存儲科技有限責任公司13日宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

  長江存儲是中國核心半導體制造企業紫光集團旗下公司,主要業務為3DNAND閃存設計制造。2016年底落地武漢,總投資240億美元。

  作為業內首款128層QLC規格的3DNAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。所謂QLC,是繼當前TLC(3bit/cell)后3DNAND閃存新的技術形態,具有大容量、高密度等特點,適合于讀取密集型應用。

  據介紹,每顆X2-6070QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量。

  長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示,“作為閃存行業的新人,長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越!

  閃存和SSD(固態硬盤)領域市場研究公司ForwardInsights創始人兼首席分析師GregoryWong認為:“QLC降低了NAND閃存單位字節(Byte)的成本,更適合作為大容量存儲介質。比如可以作為服務器和數據中心的存儲介質,適合AI計算、機器學習和大數據讀取密集型應用!(完)

(編輯:裴春梅)
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